東京大、酸化物素子で磁気抵抗比を10倍以上に：新たな構造の2端子素子を作製

東京大学は、単結晶酸化物を用いて作製した強磁性体／半導体／強磁性体構造の横型2端子素子で、従来の10倍以上となる磁気抵抗比が得られたと発表した。関連キーワードはありません